2023年12月30日，天合光能股份有限公司申请了一项名为“无铟异质结电池及其制备方法”的专利。该专利公开号为CN117317069A，申请日期为2023年10月。该专利公开了一种无铟异质结电池及其制备方法。制备方法包括在N型硅基底的正面和背面制备本征非晶硅层，然后在正面的本征非晶硅层上制备N型掺杂层，背面的本征非晶硅层上制备P型掺杂层，以及在各个透明导电材料层上分别制备保护层。此制备方法解决了无铟TCO材料晶化率低、光电特性差、方阻增大以及耐候性较差的问题，降低了制造加工成本，满足了可靠性要求。
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