乾照光电回应了提问：氮化镓半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性质...

原文发布时间: 2019-05-30 13:35 来源: 深交所互动易影响力评估指数：20

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投资者问：据报道，氮化镓半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性质。成为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后制备新一代微电子器件和电路的关键材料，特别适合于高频率、大功率、高温和抗辐照电子器件与电路的研制。公司是否有氮化镓、碳化硅相关技术？

乾照光电(300102)：我司有氮化镓技术，暂时没有涉足碳化硅。

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