赛微电子申请硅转接板制备方法专利，能实现大尺度MEMS器件的三维互联集成

2024年3月27日，北京赛微电子(300456)(股票代码赛微电子(300456))申请了一项名为“一种硅转接板的制备方法、及硅转接板”的专利，公开号为CN117756050A，申请日期为2023年12月。该专利提供了一种制备硅转接板的方法，包括对厚度大于600um的硅晶圆进行刻蚀，形成硅通孔，并对通孔进行预处理以去除杂质。随后，在硅通孔预处理后，通过循环过程沉积第一预设厚度的种子层，然后采用反溅射刻蚀方法对种子层进行反向刻蚀。这一技术方案能够制备得到极深的硅通孔硅转接板，有助于实现大尺度MEMS器件的三维互联集成。