三星电子发布超400层的V10 BV-NAND，I/O速度突破4.8Gbps

云财经讯，V10是三星最新的 3D NAND 闪存，专为满足人工智能(161631)时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。三星电子的三层堆叠 HARC(高纵横比)合并技术实现了拥有400多条字线的V-NAND架构。通过将其与多孔和零虚拟孔技术相结合，在提高制造效率和整体产品质量的同时，V10较上一代产品(V9)实现58%的位密度提升。V10架构拥有高位密度，可支持高达128TB的超大容量SSD，其超过4.8Gbps的I/O性能支持新一代 PCIe Gen7 SSD。同时，更高的能效有助于降低大规模 AI 数据中心的功耗和总体拥有成本 (TCO)。