台积电开发SOT-MRAM阵列芯片，功耗仅类似技术的1%

原文发布时间: 2024-01-18 09:00 来源: 云财经影响力评估指数：23.47

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云财经讯，台积电与工研院合作开发了一种名为自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片，该技术在次世代MRAM存储器领域取得了重大突破。该芯片采用了创新的运算架构，其功耗仅为其他类似技术的1%。台积电已经成功开发出了22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线，并且已经获得了存储器和车用市场的订单，从而为其抢占了MRAM商机。

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