东微半导申请氮化镓器件及其制造方法专利，提供一种氮化镓器件
原文发布时间: 2024-03-01 08:14
来源: 水母GPT
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2024年3月1日，国家知识产权局公告，苏州东微半导(688261)体股份有限公司申请了一项名为“氮化镓器件及其制造方法”的专利，公开号CN117637832A，申请日期为2022年8月。该专利涉及一种氮化镓器件，包括衬底层、氮基半导体层、源电极、漏电极和栅结构等组件，其中栅结构包括钝化层、浮栅和控制栅，控制栅通过栅介质层与浮栅和氮基半导体层隔离。
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