晶合集成申请半导体器件的制备方法专利，通过氧化隔离块抑制离子向沟道扩散且降低漏端电场强度
原文发布时间: 2024-03-27 18:06
来源: 水母GPT
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2024年3月27日，国家知识产权局公告，合肥晶合集成(688249)电路公司申请了一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号为CN117766569A，申请日期为2024年2月。该方法包括形成栅极和掩膜层，在栅极侧面形成第一侧墙，刻蚀衬底以形成凹槽，然后形成第二氧化层填充凹槽，以减轻离子扩散和改善热载流子效应。
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