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三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,速度较HBM4E提升50%以上

2026-07-27 18:14    来源: 云财经    影响力评估指数:22.43  
云财经讯,三星电子7月27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示,预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上,“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺,并实现更高集成度的硅通孔(TSV)”。
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